數據超過DDR4內存多達一倍 三星成功開發HKMG工藝DDR5內存

據外媒 HPCwire 消息，三星電子 宣布成功開發了單條容量 512GB 的 DDR5 模組，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝，可以提供超過 DDR4 內存一倍的表現，達到 7200Mb/s。三星表示，新款內存可以用于超級計算機、人工智能運算、數據分析等領域。

IT之家了解到，HKMG 技術目前僅應用于 GDDR6 顯存芯片，能夠使用新的金屬材料作為芯片中的絕緣層，減少漏電流，使得能耗降低 13%。三星這項技術在 DDR5 內存顆粒的應用，進一步確立了該品牌的領先地位。

除此之外，三星還利用了 TSV 硅通孔技術，堆疊 8 層 16Gb DRAM 芯片，因此可以實現 DDR5 內存 512GB 的最大容量。

三星電子內存部門副總裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能夠使用 HKMG 技術制造內存芯片的半導體廠商。這種工藝引入 DRAM 制造，三星可以為客戶提供高能效的內存解決方案。”

推薦DIY文章

聯想小新Air14 2023公開部分規格：新筆電將搭載下沉式鍵盤

朗科新推絕影NV5000-t固態硬盤 溫控技術更高 售價暫未公布

2022款iPadPro將可使用視頻編輯軟件達芬奇 使用軟件更專業

蘋果全新推出AppleTV 4K產品：流式傳輸可以千兆以太網進行

智己L7SnakePerformance高性能版：新車瞄準數秒級圈速提升

閃迪大師PRO-G40SSD外置固態硬盤：兼具極速傳輸與耐用優點